他最近在说的三件事
09-24Ian Cutress：AI 正加速混合信号设计，SerDes 达 400G、HBM 到 4e、UCIe 到 64G、工艺从 N6 到 A14
09-24Ian Cutress：3D DRAM 2029 年到来，115x 带宽在 sub 1pJ/bit 下是 HBM5E 的 3 倍
09-24Ian Cutress 转述台积电路线图：2027 年 N2P 与 N3P、8 层 SoIC 配 12 层 HBM，2028 年 N2P on N2P、20 SoIC 配 20 HBM，2029 年 A14 on A14
这几句是我们翻的，不是他的原话。要核实，点上面那个 @。