9 月 24 日中科院称用旧型 DUV 设备实现 3 纳米等效 GAA 晶体管,开关比破 50 万倍

已见于 9 月 18 日晚间

话题 · 硬件/算力

先看结论

中科院称用旧型 DUV 设备实现 3 纳米等效 GAA 晶体管,开关比破 50 万倍

高开关比用于改善漏电问题

这些标记是什么意思

疑似或传闻 当事方还没回应迹象指向 依据接口、代码提交等公开痕迹作出的推断转述 二手说法,不是原话

最新进展TrendForce 转述中科院据报用 DUV 开发 GAA 晶体管,或通向 3nm 级性能而无需 EUV
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观点

中科院称用旧型 DUV 设备实现 3 纳米等效 GAA 晶体管,开关比破 50 万倍

看什么现在的情况依据
谁说的TrendForce
判断高开关比用于改善漏电问题
其他信源科技新报
官方尚未表态

各方2 人

TrendForce转述转述称这条路线或让 3nm 级性能的制造不再依赖 EUV 光刻机𝕏

科技新报转述报道将新架构定位在全环绕式闸极(GAA)路线,对应 FinFET 之后的节点方向𝕏

产业解读

关键数字开关比突破 50 万倍,宣称对标 3 纳米节点等效效能
时间点论文发表,24 小时内被转述,无量产时间表
谁会受影响受 EUV 限制的制造路线与存量 DUV 设备的利用价值

这不是投资建议。

每早一封:昨夜到今晨新增的几件事,每件一行,点开回站点看完整。
HOURAHEAD关于 · 往期 · 2026-09-24 13:39