CXMT 启动 G5 DRAM 量产，存储区关键结构间距缩至 11.95nm

9 月 24 日CXMT 启动 G5 DRAM 量产，存储区关键结构间距缩至 11.95nm

已见于 9 月 20 日晚间

先看结论

Jukan 判断 11.95nm 属 12nm 级、理论上应对应 1b 节点

这些标记是什么意思

疑似或传闻 当事方还没回应迹象指向 依据接口、代码提交等公开痕迹作出的推断转述二手说法，不是原话

最新进展CXMT 启动 G5 DRAM 量产，工艺 11.95nm，挑战三星与 SK hynix

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Jukan𝕏

看什么	现在的情况	依据
事实		Jukan 判断 11.95nm 属 12nm 级、理论上应对应 1b 节点
交期		CXMT 启动 G5 DRAM 量产
后果		Jukan 判断 CXMT 与内存三巨头差距仍在：这批产能短期替不了三巨头的先进节点 DRAM 货架
官方		尚未表态

Jukan解读他同时指出 CXMT 的微缩进度历史上落后于内存三巨头，差距仍在𝕏

The Eastern Herald转述报道将 G5 DRAM 量产描述为对三星与 SK hynix 的挑战

产业解读

关键数字关键结构间距 11.95nm，属 12nm 级（Jukan：理论上对应 1b 节点）

时间点量产消息在最近 24 小时内集中出现

谁会受影响三星与 SK hynix 的 DRAM 产能与报价，以及存储采购方的供给来源

这不是投资建议。

更早

4天前

CXMT 宣布新存储工艺平台量产，存储区关键结构间距缩至 11.95nm𝕏

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