9 月 24 日光刻机

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光刻机

先进制程的曝光瓶颈,EUV / High-NA 交期和对华缺口

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有变化存储与逻辑High-NA量产时点能否对上
证据范围不同(定量 / 定性)· 无法比较
有变化对华EUV缺口会否在二零三零年前补上
TrendForce9/17
转述:黄仁勋称中国2030年开发出先进光刻,国产DUV据报在测𝕏

有变化存储与逻辑High-NA量产时点能否对上

何时见分晓:官方量产窗口未到
ASML科技新报 说法不一
ASML · 9月8日
High NA已用于逻辑与存储量产,正与台积电推更大掩膜
科技新报 · 9月9日
转述:台积电确定2030年正式导入,首波瞄准A10与A11

ASML · 9月8日 ASML与台积电推动更大掩膜版以提升High NA EUV生产力𝕏

科技新报 · 9月9日 台积电确定2030年正式导入High-NA EUV曝光机,首波应用瞄准A10与A11先进制程𝕏

TrendForce · 9月9日 TrendForce称三星与SK海力士目标2028年采用High-NA EUV𝕏

P Equity Research 📰 · 9月1日 ASML 10台High NA EUV系统在四家客户运行,累计曝光超135万片晶圆,可用率84%𝕏

日本経済新闻 · 9月18日 TSMC与三星表明次世代EUV导入时间,英特尔先行

有变化对华EUV缺口会否在二零三零年前补上

何时见分晓:国产光刻时点核验
TrendForce · 9月17日
转述:黄仁勋称中国2030年开发出先进光刻,国产DUV据报在测
转述:UBS称十年内无法造出EUV,DUV还需2-5年

TrendForce · 9月17日 TrendForce 转述黄仁勋判断:中国到 2030 年将开发出先进光刻系统,国产 DUV 据报已在测试𝕏

P Equity Research 📰 · 9月3日 UBS:中国10年内无法造出EUV光刻机,DUV还需2-5年𝕏

Teortaxes · 9月7日 Teortaxes:无法证实中国光刻时间减半,也否认缺乏现有技术知识会抵消先进AI在硬件问题上的优势𝕏

TrendForce · 9月18日 TrendForce 转述中科院据报用 DUV 开发 GAA 晶体管,或通向 3nm 级性能而无需 EUV𝕏

Teortaxes · 9月8日 Teortaxes评论:CXMT和YMTC获得足够ASML DUV设备支持未来三年扩产,称其非法𝕏

金融界 · 9月21日 长鑫G5量产,无EUV实现等效1c工艺

Tech Wire Asia · 9月21日 CXMT 最新一代 DRAM 在无 EUV 工具下缩小与 Samsung、SK hynix 的差距

我们只标出对不上的地方,不下结论。出处是中文摘要。由模型梳理后经引用校验,未逐条人工复核。

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